本發明提供一種鋁通孔芯片的去層方法,該鋁通孔芯片的去層方法包括如下步驟:S1:將芯片進行干法刻蝕,露出鋁金屬;S2:通過濕法刻蝕將鋁金屬反應掉,使和鋁金屬緊貼的阻擋層露出;S3:鋁金屬反應掉后,鋁孔也會被反應,因此會在阻擋層上留下與下層金屬連接的孔洞,該孔洞就是通孔的位置;S4:采集該層次的圖像將金屬線的信息和下層孔的信息全部進行采集。該鋁通孔芯片的去層方法具有的優點如下:該方法可以很好地解決同層金屬線不在同一水平面上,不同位置的金屬線有一個高度的落差,且現有的加工方法會導致做失效分析或電路分析時,電路信息丟失的問題。
聲明:
“鋁通孔芯片的去層方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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