本申請涉及一種存儲器,包括存儲模塊、讀模塊、第一校驗模塊及第二校驗模塊,存儲模塊包括多個感測放大器陣列和多個存儲單元陣列,感測放大器陣列與存儲單元陣列交替排布;第一數據線與各感測放大器陣列均電連接;讀模塊用于對第一數據線上的數據進行讀??;第一校驗模塊、第二校驗模塊與讀模塊均電連接;讀模塊被配置為:將讀取數據的部分傳輸至第一校驗模塊以進行檢錯和/或糾錯,并將讀取數據的另外部分傳輸至第二校驗模塊以進行檢錯和/或糾錯;其中,傳輸至第一校驗模塊的數據與傳輸至第二校驗模塊的數據分別來自于相鄰的感測放大器陣列。本申請能夠及時發現并修復半導體存儲裝置中相鄰存儲單元失效缺陷。
聲明:
“存儲器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)