本申請提供一種三維堆疊存儲芯片的測試方法及三維堆疊存儲芯片。該存儲芯片包括堆疊互連的至少兩個晶粒,該測試方法包括:控制至少兩個晶粒中之一獲取期望數據;通過至少兩個晶粒中之另一的讀寫數據線得到測試數據,比對測試數據和期望數據以產生相應的比對結果,從而基于比對結果確定至少兩個晶粒之間的連通性;其中,堆疊互連的至少兩個晶粒的讀寫數據線通過至少兩個晶粒間的堆疊互連結構彼此連接。該測試方法能夠定位三維堆疊產品因互連工藝引起失效,以及提供精準的有互連問題的互連線路信息,繼而間接或直接解決三維堆疊存儲芯片因互連工藝問題引起的產品良率較低的問題。
聲明:
“三維堆疊存儲芯片的測試方法及三維堆疊存儲芯片” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)