本發明提供了一種存儲器芯片上測試單個比特的方法,包括步驟:提供存儲器芯片,將所述存儲器芯片減薄到目標比特的字線層;在所述字線層的柵極上形成導電層;提供測試信號給所述導電層,通過探針測試單個比特的電氣特性。在本發明提供的存儲器芯片上測試單個比特的方法中,首先將存儲器芯片減薄到字線層,暴露出字線層的柵極,在柵極上形成導電層,然后通過給所述導電層提供測試信號,可實現將所有連接導電層的柵極打開,再通過探針測試單個比特的電氣特性,完成存儲器芯片上單個比特的失效測試。
聲明:
“存儲器芯片上測試單個比特的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)