本發明公開一種基于相移電子散斑干涉技術預測集成電路工作壽命的方法,通過相移電子散斑干涉技術,測量集成電路試件封裝表面在溫度加速壽命試驗下的封裝表面離面位移變化規律,確定失效點,并根據失效點離面位移量和溫度曲線關系計算失效激活能,最后根據建立的壽命預測模型對其壽命進行預測。該方法可在測量集成電路試件芯片表面位移的同時測量整個表面的信息,并可實現在線連續檢測,同時測量更加準確。
聲明:
“基于相移電子散斑干涉技術預測集成電路工作壽命的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)