本發明提供一種基于自動測試設備的MARM存儲器的測試方法,所述測試方法包括:步驟S1,將自動測試設備與MARM 存儲器電連接;步驟S2,對MRAM存儲器進行全芯片存儲單元讀寫功能驗證;步驟S3,根據MARM存儲器工作參數設定要求,對MARM存儲器進行直流參數驗證和交流參數驗證。本發明提供的方法利用自動測試設備針對MARM存儲器進行測試,能夠發現MARM存儲器的故障,所述測試方法能夠檢測MARM存在的各種可能的失效模式,包括:全芯片存儲單元讀寫功能驗證;直流參數驗證和交流參數驗證。
聲明:
“基于自動測試設備的MRAM存儲器的測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)