本發明涉及狀態監測技術領域,公開了一種SiC MOSFET監測電路及監測方法,包括采樣模塊,用于采集所述SiC MOSFET柵極的電信號;分析模塊,與所述采樣模塊連接,用于將所述電信號與預設閾值進行比較,并根據比較結果判斷所述SiC MOSFET是否老化失效。所述SiC MOSFET監測電路通過采樣電路對所述SiC MOSFET的柵極電信號進行檢測采集處理,并將采集到的電信號與預設閾值進行比較,根據比較結果判斷所述SiC MOSFET是否老化失效。將本發明提供的所述SiC MOSFET監測電路應用在包含有SiC MOSFET器件的電路或系統中時,可以在不中斷系統工作狀態的情況下實現對所述SiC MOSFET器件狀態的監測和老化失效預警,監測過程對系統正常工作的干擾小,且預測精度高。
聲明:
“SiC MOSFET監測電路及監測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)