本發明公開了一種功率MOSFET的故障預測和健康處理方法及測試系統,具體步驟包括:選擇性能特征正常的MOSFET器件作為測試樣本,通過測試正常器件在老化過程中漏源極電壓,漏極電流,器件外殼溫度這三個參數,對測試的數據進行分析并建立以特征參數Rds(on)為基礎的先驗退化模型E,確定失效閾值,然后利用對實際被檢測器件的測試數據對模型E進行訓練,修正模型的特征參數,通過計算預測MOSFET器件的剩余壽命,輸出健康評估結果,對器件進行健康處理,本發明所提供的功率MOSFET的故障預測和健康處理方法,無需采用大型的測試設備和復雜的實驗環境,預測精確度高,預測算法性能穩定,可以大大降低錯誤預報的概率。
聲明:
“功率MOSFET的故障預測和健康處理方法及測試系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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