本發明實施例提供了一種GaN基半導體激光芯片檢測裝置及方法,所述裝置包括:芯片裝載模塊、電源模塊、顯微成像模塊和激光打標模塊;通過電源模塊為待檢測芯片施加一定的電流使待檢測芯片從p面和前腔面分別發出兩束熒光,顯微成像模塊接收這兩束熒光后對待檢測芯片的p面和前腔面進行熒光成像,并判斷待檢測芯片的有源區是否存在失效區域、前腔面是否有災變性光學損傷點,最后再通過激光打標模塊對待檢測芯片的有源區的失效區域正上方的p面進行打標以便后續處理。所述裝置結構簡單,且能夠實現對待檢測芯片的有源區的失效區域的正上方的p面區域打標,以此來定位失效區域在有源區中的位置,功能更加豐富,具有更好的實用價值。
聲明:
“GaN基半導體激光芯片檢測裝置與方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)