本發明公開了一種氮化鎵電子器件的檢測方法和系統,所述方法包括:獲取處于靜態工作點的氮化鎵電子器件在預設光束掃描下的漏極電流值和掃描位置,其中,所述掃描位置為所述預設光束在所述氮化鎵電子器件上的投射位置,一個掃描位置對應一個漏極電流值;根據獲取的漏極電流值和掃描位置,繪制漏極電流隨所述掃描位置的變化圖,并將繪制的變化圖與所述氮化鎵電子器件的光學顯微圖像進行疊加,生成疊加圖像;根據所述疊加圖像,獲取所述氮化鎵電子器件的陷阱缺陷位置信息。實施本發明的方法和系統,可獲取陷阱缺陷在氮化鎵電子器件的空間分布信息,進而可提供對器件進行篩選和失效分析的依據。
聲明:
“氮化鎵電子器件的檢測方法和系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)