本發明公開了一種用于功率金屬氧化物晶體管芯片的缺陷失效定位方法,包括:1)用酸去除功率金屬氧化物晶體管芯片表面的鋁層;2)對于鋁層下含有Ti/TiN擴散阻擋層的芯片,直接扎針柵極、源極、漏極灌電流作EMMI或OBIRCH分析,定位出缺陷;對于鋁層下無擴散阻擋層的芯片,在芯片內的無晶體管區域用FIB淀積兩個金屬墊,再在每個金屬墊的邊上用FIB淀積一個與該金屬墊相連接的金屬條,兩個金屬條的另一端分別連接到柵極和源極,利用兩個金屬墊和芯片背面漏極完成EMMI或OBIRCH測試,定位出缺陷。本發明的效果遠遠好于液晶分析,而且可以快速、精確地找到缺陷位置。
聲明:
“用于功率金屬氧化物晶體管芯片的缺陷失效定位方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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