本發明涉及一種以測量電壓效應為基礎的芯片失效方法,其特征在于:按以下步驟進行:1)將芯片通過開蓋機,并將封裝的樹脂去掉,將裸晶外露;2)將芯片放入到工作電路中,讓芯片處于工作狀態;3)開啟掃描電子顯微鏡,將加速電場電壓調整至60kV;4)將正常的芯片放入樣品室進行掃描,得到正常芯片的電壓襯度像;5)將失效的芯片放入樣品室進行掃描,得到失效芯片的電壓襯度像;6)利用掃描電子顯微鏡的圖像顯示和記錄系統對正常芯片的電壓襯度像和失效芯片的電壓襯度像進行比較,求出并顯示差像,即可根據差像確定芯片的失效位置,該方法簡單易行,可準確定位失效芯片的故障點。
聲明:
“以測量電壓效應為基礎的芯片失效方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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