本公開是關于一種失效單元測試方法及裝置、存儲介質、電子設備,涉及集成電路技術領域。該失效單元測試方法包括:在系統開機后,向所述DRAM中寫入測試數據;停止向所述DRAM發送刷新指令,并等待預設時間;讀取所述DRAM中的數據,并將所述讀取的數據與寫入的所述測試數據進行比較,根據所述讀取的數據與寫入的所述測試數據比較的結果,確定所述DRAM中發生翻轉的數據;根據所述發生翻轉的數據所在的存儲單元確定所述DRAM中的失效單元。本公開提供一種在應用端執行失效單元測試的方法。
聲明:
“失效單元測試方法及裝置、存儲介質、電子設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)