本發明提供一種用于晶圓上壞點的失效分析的方法,所述方法包括:對晶圓壞點所對應的問題光罩圖案進行直接模擬;以及基于模擬結果與生成所述問題光罩圖案所基于的原始光學鄰近修正版圖的模擬的比較確定所述晶圓壞點是否起因于光罩錯誤。本發明所提供的用于晶圓上壞點的失效分析的方法可以將光學鄰近修正過程可能的錯誤與光罩錯誤各自產生的影響分離開來,準確確定晶圓壞點產生的根本原因是否在于光罩錯誤。
聲明:
“用于晶圓上壞點的失效分析的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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