一種低k介電材料的失效分析方法,包括:對低k介電材料采用聚焦離子束定點切削與輔助電子束掃描進行薄膜樣品制備;對薄膜樣品進行透射電鏡成像;根據所述透射電鏡成像得到的材料形貌,進行失效判定。本發明使用特定參數條件的聚焦離子束定點切削與輔助電子束掃描制備低k介電材料的薄膜樣品,并通過透射電鏡TEM成像獲得樣品形貌,根據樣品形貌進行失效判定,因此本發明流程簡單,經濟有效易于實現,且判定準確直觀。
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“低k介電材料的失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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