本發明公開了一種失效分析定位方法,其屬于半導體領域的技術,包括:步驟S1,預先在所述重復性結構區域設置一目標區域;步驟S2,以所述目標區域為中心在所述被測芯片表面設置一點陣圖形,所述點陣圖形中的組成點的面積和所述組成點與所述目標區域之間的距離成正相關;步驟S3,對所述目標區域進行失效分析以定位所述目標區域中的失效點,在進行所述失效分析之前根據所述點陣圖形定位所述目標區域。該技術方案的有益效果是:本發明能夠減少抓取失效點的時間,以便快速的進行失效分析,提高了失效分析的效率,實現了對芯片上的重復性結構區域中的失效點的快速定位與分析。
聲明:
“失效分析定位方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)