本發明提供了一種用于失效分析的樣品的處理方法及失效分析方法,所述用于失效分析的樣品的處理方法包括:在晶圓上獲取待分析的芯片樣品;將所述芯片樣品去層至目標銅金屬層結構上表面;在所述目標銅金屬層結構上表面的待檢測位置形成鍍碳保護層。本發明的技術方案降低了金屬表面出現銅擴散的概率,使得在失效分析過程中制備芯片樣品的失敗率大大降低,并且縮短了分析周期,加快了找到芯片失效關鍵原因的速度。
聲明:
“用于失效分析的樣品的處理方法及失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)