本發明公開了一種襯底上碳納米管水平陣列密度的快速光學表征方法。該方法包括如下步驟:將單根碳納米管的光學吸收性質推廣至宏觀材料中,將二維材料(如石墨烯)的光學表征方法引入碳納米管水平陣列領域,建立光學襯度與碳納米管水平陣列密度及不同類型碳納米管比例之間的定量公式,利用交叉偏振方法顯著提高碳納米管的光學信號(10-100倍),實現所述高密度碳納米管水平陣列的光學表征。本發明提供的方法,克服了傳統表征方法耗時、操作復雜、易損傷樣品的缺點,實現了襯底上碳納米管密度和類型的快速、準確、無損傷的表征,可廣泛應用于碳納米管的生長和測試實驗中,為優化碳納米管生長方法提供必不可少的監控和反饋措施。
聲明:
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