本發明提供了一種半導體深孔刻蝕后的工藝監控方法,包括以下步驟:a.提供具有預定形狀和尺寸的測試結構;b.測量所述測試結構的質量,得到容差范圍;c.測量待監控晶圓的質量,并與所述容差范圍進行比較,若待監控晶圓的質量值在容差范圍內,則認為深孔的刻蝕深度已經達到要求;若不在容差范圍內,則深孔的刻蝕深度沒有達到工藝要求,需要對刻蝕工藝條件進行調整。本發明采用無損傷的高精度質量量測方法,通過測量硅深孔硅刻蝕后的質量,來間接表征硅深孔刻蝕深度是否達到工藝要求。晶圓整片測量,不需要特定測試結構,方便快捷;且反饋結果直觀,快速,準確,且對晶圓無損傷。
聲明:
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