本發明公開一種采用混合半導體技術的RCC電路,涉及開關電源領域,電路采用了LDMOS器件和GaN基HEMT器件,提高電路工作頻率至數百kHz。兩種類型器件采用了同一個硅襯底,三晶體管共用一個晶圓,減小體積、提升可靠性控制。電路通過第三輔助繞組Na,采用正反饋模式的自激驅動腔自動為Si基LDMOS器件Q3提供驅動信號,無須控制芯片。采用了集成式的高頻電流逐周期檢測方案,與自激驅動腔共用一個線圈,省去了電流檢測電阻,實現了無損耗電流檢測。電路還采用了積分反饋法實現原邊反饋,通過在關斷時間內,對第一GaN HEMT器件Q1漏極電壓進行積分計算,間接獲取輸出電壓信息,從而實現對輸出電壓的實時精確調控。
聲明:
“采用混合半導體技術的RCC電路” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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