本發明公開了一種測量半極性面III族氮化物薄膜缺陷密度的方法及其應用。所述的方法包括:采用X射線衍射儀測量生長在異質襯底的半極性面III族氮化物薄膜,從而獲得所述薄膜面內搖擺曲線半高寬極大值與薄膜的(10?10)晶面、(20?20)晶面、(30?30)晶面的搖擺曲線半高寬與峰位值;計算獲得其a型位錯的半高寬展寬、其半極性面的層錯間距LLcL對半高寬的加寬;計算獲得其c型位錯的半高寬展寬;以及,依據修正的位錯密度計算公式得出a型、c型位錯密度,獲得所述薄膜半極性面缺陷密度。本發明提供的方法能夠方便、快捷地獲得半極性面III族氮化物薄膜的位錯密度,利于進行半極性面III族氮化物薄膜生長技術的快速反饋調控,同時其具有廉價、無損等優點。
聲明:
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