本發明適用于核輻射探測技術領域,提供了一種半導體核輻射探測器及其制備方法和應用,該制備方法包括以下步驟:用溴甲醇溶液對CsPbBr3單晶襯底的表面進行化學腐蝕處理;用氫溴酸溶液對化學腐蝕處理后的襯底的其中一面進行鈍化處理,形成鈍化層;對鈍化層的中央部分進行刻蝕處理,形成刻蝕區域;在刻蝕區域上依次沉積第一內層金屬電極、第一中層金屬電極和第一外層金屬電極;以及在襯底遠離刻蝕區域一面上依次沉積第二內層金屬電極、第二中層金屬電極和第二外層金屬電極,得到半成品;將半成品置于保護氣氛下進行退火處理,得到半導體核輻射探測器。該半導體核輻射探測器可進行室溫探測和無損探測,其具有探測極限低,方便攜帶等優點。
聲明:
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