本發明公開了一種半導體器件特性的測試分析方法,包括以下方法:X射線無損探傷分析,物理特性外部分析,耐腐蝕特性測試,聲學掃描顯微鏡測試,先行偏振光檢測方法。本發明所提供的一種半導體器件特性的測試分析方法,用嚴謹科學的試驗方法和判定依據,對于半導體器件樣品的品質給出了最有效的判定依據,通過一系列的方法逐次排查半導體器件樣品的芯片尺寸、引線鍵合定位、BGA封裝焊球、BGA封裝蓋帽等指標,測試方法科學,過程中不會產生有害物質。
聲明:
“半導體器件特性的測試分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)