本發明公開了一種半導體少數載流子壽命分布的紅外偏振光學成像檢測方法與系統。所述方法由短波焦平面紅外相機采集少數載流子輻射復合偏振發光圖像序列、激光光源偏振激勵、少數載流子輻射復合偏振發光信號處理與圖像分析三個步驟組成;所述系統包括激光偏振激勵裝置、NI數據采集卡、短波焦平面紅外相機及計算機。本發明應用紅外偏振成像技術和數字信號處理技術得到調制偏振光誘發半導體材料的少數載流子輻射復合偏振光的頻域響應特性,利用少數載流子輻射復合偏振發光頻響特性分析得到少數載流子壽命,這是一種快速、準確獲取少數載流子壽命分布的無損檢測方法。
聲明:
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