本發明涉及一種碳化硅晶體導電類型的無損判定方法,使用紫外?可見?近紅外分光光度計,對待測的SiC樣品進行光譜透過率測量,探測光的入射方向為沿SiC晶片的c軸方向,測量指標為吸光度,根據公式α={A﹢2log10(1?R)}/(d/ln10)(1)計算得到碳化硅樣品的吸收系數隨波長變化關系的吸收系數曲線,從曲線中獲得紫外吸收邊位置Eg;根據半絕緣類型的紫外吸收邊位置判定標志與吸收邊位置Eg進行比較,獲得半絕緣晶片導電類型,有益效果是采用基于光譜分析法,對高純半絕緣碳化硅晶片的導電類型進行檢測和篩分的方法,對待測樣品無損傷,檢測過程易于自動化和程序控制,可對出廠產品進行全面檢驗,也可應用于目前市場存在的2、3、4、6英寸完整晶圓產品檢驗。
聲明:
“碳化硅晶體導電類型的無損判定方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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