本發明涉及一種p型摻雜6H?碳化硅晶體的無損判定方法,使用變溫拉曼光譜,對待測的p型摻雜6H?SiC晶體樣品進行光譜測量,探測光的入射方向為沿SiC晶片的(0001)方向,變溫測量為室溫到673K溫度范圍,溫度間隔為50K。分析對比載流子敏感的A1縱向光學模,根據其強度及峰位的變化,可以判斷樣品是否為p型摻雜。有益效果是采用基于光譜分析法,對p型Al摻雜6H?碳化硅晶體的載流子濃度進行檢測和分析,無需像霍爾測量一樣的鍍電極,對待測樣品無損傷,檢測過程可實現自動化和程序控制,可對出廠產品進行全面檢驗,也可應用于目前市場存在的2、3、4、6英寸完整晶圓產品檢驗。
聲明:
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