一種在MOCVD中測量半導體薄膜雜質電離能的無損測量方法,其是通過分析生長過程中薄膜材料光致發光譜譜峰強度隨溫度變化而變化的光學特征,計算獲得待測半導體薄膜的雜質電離能,該測量方法包括如下步驟:在MOCVD裝置中安裝光致發光譜測試系統;該測試系統測量在不同溫度下測量薄膜材料的光致發光譜,并標定和計算施主?受主峰的譜峰強度;擬合施主?受主峰譜峰強度?溫度關系實驗數據,獲得薄膜材料雜質電離能,包括施主雜質電離能和受主雜質電離能;重復步驟1?3,多次測量待測半導體薄膜雜質電離能,采用最小二乘法,計算多次測量后的雜質電離能。本發明是利用無損的光譜解析技術,實現了MOCVD生長過程中對半導體薄膜雜質電離能的實時測量,測試過程快速無損、精度高。
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