公開了一種無損檢測半導體材料(2)的內部缺陷的設備和方法。半導體材料(2)具有長度(L)、橫截面區(Q)以及與所述長度(L)對齊的側面(5)。超聲波設備(10)被分配到所述半導體材料(2)。此外,設置在所述超聲波設備(10)和半導體材料(2)的側面(5)之間產生沿著半導體材料(2)的側面(5)的長度(L)的相對運動的機構(9)。
聲明:
“無損檢測半導體材料內部缺陷的方法和設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)