本發明公開了一種SiC雪崩光電二極管的無損缺陷檢測方法及裝置,利用位錯的發光規律,通過SiC雪崩光電二極管在雪崩擊穿下的發光圖像,辨別SiC雪崩光電二極管有源區內是否存在位錯缺陷,進行高質量SiC雪崩光電二極管篩選,是一種成本低、操作簡單的無損檢測方法。本發明與其他位錯檢測方法相比,所用設備(探針臺、源表、COMS相機)均為微電子器件研究的常用設備,系統搭建簡單、成本低、操作簡單。
聲明:
“SiC雪崩光電二極管的無損缺陷檢測方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)