一種太赫茲無損檢測硅片電阻率的裝置及其使用方法,涉及太赫茲技術領域。包括太赫茲輻射源、準直擴束系統、樣品臺、太赫茲探測器、計算機、機械吸盤、返工片收集盒;太赫茲輻射源設置在最下方,太赫茲輻射源垂直向上輻射太赫茲波,準直擴束系統設置在太赫茲輻射源的正上方,所述太赫茲探測器設置在準直擴束系統正上方,太赫茲探測器與準直擴束系統之間有一段間距,太赫茲探測器的探頭朝下,用于接收太赫茲輻射,樣品臺設置在太赫茲探測器與準直擴束系統之間,能夠沿水平面移動,計算機與太赫茲探測器數據線相連,機械吸盤與計算機數據線連接,返工片收集盒獨立??稍诓唤佑|硅片的情況下,無損地測量硅片的電阻率,不會對硅片造成損傷。
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