本發明提供了一種去除碳化硅晶片表面顆粒的清洗方法,本發明中的有機清洗通過堿性有機溶劑+機械作用相結合的辦法,來去除表面黏著的蠟質、拋光液中的無機研磨液、硅溶膠和其余的大顆粒;無機清洗通過化學藥液和機械作用相結合的辦法來進一步去除碳化硅表面的小顆粒;表面鈍化通過氧化作用來去除碳化硅表面的懸掛鍵,防止顆粒的再次吸附污染。本發明中的方法清洗的晶片通過Candela 920測試,0.3um以上顆粒數小于300個,合格率可以達到90%以上。
聲明:
“去除碳化硅晶片表面顆粒的清洗方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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