本發明提供了一種半導體器件的制造方法,包括:提供一前端結構,所述前端結構包括襯底,位于所述襯底上的字線,位于所述襯底上且分列于所述字線兩側的控制柵,位于所述控制柵上的字線側墻,所述字線側墻暴露出部分所述控制柵;以所述字線側墻為掩膜刻蝕所述控制柵;以及在暴露出的所述控制柵的側壁形成一保護層。本發明提供的通過在暴露出的控制柵的側壁形成一保護層,及時將控制柵暴露在空氣中的部分保護起來。避免了控制柵的側壁因長時間暴露在空氣中而與控制柵刻蝕后產生化學物質發生反應,破壞控制柵結構,進而解決了半導體器件擦除失敗以及測試失敗的問題,提高了半導體器件的質量。
聲明:
“半導體器件的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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