本發明涉及一種Sialon雙晶納米帶及其制備方法,其是將Si-Al-O-N-C粉末與碳粉壓制成圓環形預制塊,在高壓氮氣環境下,通過化學氣相沉積法生長,在圓環形預制塊周圍形成Sialon雙晶納米帶,其厚度為10-800nm,寬度為0.1-10μm,長1-15mm。所得Sialon雙晶納米帶具有其他納米帶不具備的獨特性能和應用前景,比如優異的介電性能、導熱性和機械強度。由于其在生長方向上具有獨特的雙晶結構,Sialon雙晶納米帶可用于光轉換,以及用于構建納米光探測器件等。
聲明:
“Sialon雙晶納米帶及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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