本發明公開了一種無損、快速、準確表征ta-C膜鍵態結構的方法。首先,在石英或硅襯底上制備ta-C薄膜,然后利用紫外/可見/近紅外分光光度計與光譜型橢偏儀分別測量ta-C薄膜的透射率T與橢偏參數Ψ和Δ,再以該參數為擬合參數,通過建立襯底層、ta-C薄膜層以及表面粗糙層的數學物理模型求解ta-C薄膜厚度df、折射率nf及消光系數kf,最后分別確定具有純sp2C、純sp3C鍵態的材料的光學常數,在EMA近似下采用Bruggeman算法擬合,即得到ta-C薄膜中化學鍵sp3/sp2的含量。與現有的表征方法相比,本發明具有對樣品要求低、表征過程快速簡單易行,對樣品無損壞,以及表征精度與準確性較高的優點,具有良好的推廣應用價值。
聲明:
“無損、快速、準確表征四面體非晶碳薄膜鍵態結構的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)