本發明涉及金剛石色心領域,具體為一種納米金剛石中高亮度硅空位色心的制備方法?;跉怏w摻雜方式在微波等離子體化學氣相沉積設備引入四甲基硅烷氣體,在襯底上生長硅摻雜納米金剛石薄膜,金剛石晶粒尺寸小于100nm,采用機械剝離或者濕法刻蝕方法將襯底去掉,得到自支撐薄膜并研磨處理得到納米金剛石粉體,將納米金剛石粉體進行550~650℃空氣氣氛下退火5~10min,獲得硅空位色心在室溫激發條件下其738nm熒光峰與金剛石拉曼峰強度比值大于10。從而,在納米金剛石中可控摻雜硅原子獲得硅空位色心,并實現硅空位色心在室溫條件下高亮度發光的顆粒制備。本發明制備的納米金剛石具有非常強的SiV發光性能,可以用于生物熒光標記,高精度溫度磁性測量等領域。
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“納米金剛石中高亮度硅空位色心的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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