本申請涉及半導體制造技術領域,特別涉及一種波導的刻蝕方法,該方法包括:提供表面具有波導材料層的半導體襯底;波導材料層基于化學氣相沉積技術得到;采用光刻工藝在波導材料層表面形成圖形化的掩膜層;掩膜層用于確定波導材料層的待刻蝕面;基于掩膜層,采用干法刻蝕工藝刻蝕波導材料層的待刻蝕面,以形成波導;其中,在刻蝕波導材料層的待刻蝕面的過程中,通過實時測量波導材料層的刻蝕深度和波導材料層剩余的襯底厚度,來確定刻蝕終點。如此,可以提高波導的刻蝕精度,減少刻蝕所得波導深度的尺寸偏差,并提高波導的性能。
聲明:
“波導的刻蝕方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)