本發明公開了一種二維硫化錸?硫化鉬垂直異質結構的制備方法,采用化學氣相沉積法,以Si/SiO2為襯底,金屬錸箔(Re)為錸源,金屬鉬箔(Mo)為鉬源,金屬錸箔平鋪在金屬鉬箔的一端表面上,襯底倒扣在金屬鉬箔上,與硫蒸氣反應,在襯底上制備得到了以多層ReS2為底層、雙層MoS2為頂層的二維ReS2/MoS2垂直異質結構。所得二維ReS2/MoS2垂直異質結材料,是由兩種不同尺寸的晶體堆疊而成的晶體,呈現出顯著的發光性質,可作為晶體管的溝道材料應用于超薄電子器件領域,在高效光探測器領域中有潛在的應用。
聲明:
“二維硫化錸-硫化鉬垂直異質結構的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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