本發明公開了一種溴鉛銅單晶的制備方法。本發明的制備方法包括溴鉛銅多晶料的制備和溴鉛銅單晶的生長;具體包括:首先按化學計量比稱取原料,混合后裝入石英坩堝中真空封裝,然后把石英坩堝放入搖擺爐中分段加熱,邊加熱邊搖擺進行溴鉛銅多晶料的燒結;最后將裝有溴鉛銅多晶料的石英坩堝放入晶體爐中進行晶體生長。本發明采用多晶料制備和晶體生長兩步法,成功生長出溴鉛銅單晶,得到的溴鉛銅晶體尺寸為18x50mm3,本發明解決了溴鉛銅單晶生長的瓶頸,克服了溴鉛銅單晶生長方法無法實現的技術難題,拓寬了溴鉛銅材料在光電探測領域的應用前景。
聲明:
“溴鉛銅單晶的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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