本發明專利公開了具有室溫線性磁阻效應的層狀單晶材料、制備方法及應用,具體涉及單晶材料的技術領域。采用化學氣相輸運法生長Fe5GeTe2單晶。制備方法包括如下步驟:S1、按照摩爾質量比5:1:2配制Fe、Ge、Te原料;S2、按照5mg/cm–2配制I2;S3、將步驟S1和S2中配制好的原料進行充分研磨,然后將研磨后的原料置于石英管內,并將石英管抽為真空狀態;S4、石英管密封后放置于兩溫區管式爐中,生長端700℃,原料端750℃,經過7天的生長周期,自然降溫即可獲得毫米級的具有高質量的Fe5GeTe2單晶體。采用本發明技術方案解決了現有磁傳感器的磁滯現象對測量精度影響較大的問題,可用于制備溫度范圍適用更廣的單晶材料。
聲明:
“具有室溫線性磁阻效應的層狀單晶材料、制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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