本發明屬于場效應晶體管技術領域,具體為一種石墨烯場效應晶體管的制備方法。該方法的步驟包括:提供紅外線可穿透的襯底;化學氣相淀積石墨烯形成石墨烯溝道層;在石墨烯溝道層上構圖形成柵介質層;以及在柵介質層上構圖形成柵端。其中,石墨烯溝道層可操作地在紅外線輻射下產生光電導效應,以使石墨烯場效應晶體管的電學特性發生變化。該制備方法工藝過程簡單并易于與集成電路制造工藝兼容,所制備的場效應晶體管具有靈敏度高、功耗低、超輕超穩定的紅外探測功能,并且紅外吸收帶寬且可根據實際應用需求可調。
聲明:
“石墨烯場效應晶體管的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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