本發明提供了一種制備半導體集成電路器件金屬橫截面樣品的新方法,該方法包括傳統方法中對半導體集成電路器件用樹脂進行鑲嵌,再進行機械研磨拋光,并創新地采用化學腐蝕,解決了機械研磨拋光后延展性較好的金屬橫截面變形較嚴重的問題。采用該方法制備的樣品可在光學顯微鏡或掃描電子顯微鏡下準確地測量各層金屬的厚度。本發明具有成本低、周期短、易操作、無毒害的特點。
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