本發明提供了一種形成多孔介電膜的方法,該方法包括:在襯底的至少一部分上形成包括Si、C、O、H和Si-CH3基團的復合膜,其中所述復合膜包括至少一種含硅的結構形成材料和至少一種含碳的成孔材料;并將所述復合膜暴露于活化的化學物質,從而至少部分地改性所述含碳成孔材料,其中在暴露步驟后通過FTIR測定,在如此沉積的膜中至少90%的Si-CH3物質保留在所述膜中。
聲明:
“在還原氣氛下固化介電膜” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)