本發明公開了一種SiO2/CoO/石墨烯復合負極材料及其制備方法,采用層層組裝的方式將鈷基材料和石墨烯依次修飾在二氧化硅顆粒表面,利用鈷基材料和石墨烯材料的優異特性對SiO2顆粒進行改性;通過采用兩步溶劑熱法得到的前驅體材料中,具有片狀結構的鈷基材料分布得更均勻,與SiO2黏結地更緊密,并且SiO2/CoO?2/GS復合材料中,石墨烯形成三維多孔網絡結構,SiO2/CoO?2顆粒均勻分散且大部分被包覆于石墨烯的導電網絡中,阻抗測試結果顯示,SiO2/CoO?2/GS復合材料具有較小的容抗與歐姆阻抗。優異的結構特性使得該材料展現出優異的電化學性能,在電流密度為200mA/g時,首次放電比容量高達1568.5mAh/g,第二次循環開始便不再有容量衰減,經過10次循環后,比容量仍然在801mAh/g。
聲明:
“SiO2/CoO/石墨烯復合負極材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)