本發明涉及一種非線性光學晶體材料及其制備方法與應用,該類晶體材料的化學式為NaM(SO4)2(H2O)(M=Ce3+,Bi3+),屬于三方晶系,其空間群分別為P3121和P3221。在1064nm激光照射下,粉末倍頻強度分別為KH2PO4(KDP)晶體的0.2倍和0.38倍,且在該波長激光照射下都能實現相位匹配。與現有技術相比,本發明涉及的晶體材料NaBi(SO4)2(H2O)具有較大的帶隙,測得的激光損傷閾值為已商業化的紅外二階非線性材料AgGaS2(AGS)的83倍,表明該材料在紫外非線性光學、電光調制、光折變信息處理等領域具有較大的應用潛力。
聲明:
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