本發明涉及一種釹摻雜二維層狀二硒化鉬薄膜材料的制備方法,包括以下步驟:首先通過高純原料鉬、硒、釹的化學氣相輸運反應,制得釹摻雜二硒化鉬的多晶體;接著通過壓制及燒結,制得釹摻雜二硒化鉬的陶瓷靶;將陶瓷靶和清洗過的襯底置入真空腔,通過脈沖激光轟擊所制備的陶瓷靶,控制頻率、時間、功率等因素,獲得不同層數、形貌均勻、面積連續的超薄釹摻雜二硒化鉬薄膜光電材料。所制備的材料在近紅外區域具有發射光譜,可被用于構筑原子級超薄的光電子器件,如電致發光器件、平板波導、探測器等。
聲明:
“生長可控的稀土釹摻雜二硒化鉬薄膜材料制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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