本發明公開了核殼結構ZnS@C@MoS2催化劑的制備方法及其應用,本發明通過水熱法合成粒徑均一的ZnS納米球,然后采用自組裝法在ZnS納米球表面組裝一層PDA薄膜,再經過高溫碳化,強酸刻蝕處理,最后通過一步水熱法在刻蝕的ZnS@C的表面原位生長超薄的MoS2納米片,實驗結果表明碳殼可以極大地提高ZnS@C@MoS2的導電性,有效地防止MoS2納米片的聚集,二維超薄的MoS2納米片的結構有利于最大限度暴露活性位點,縮短電荷的傳輸路徑,使ZnS@C@MoS2表現出優異的電化學性能,且ZnS@C@MoS2在堿性電解液中測試12h時,保持率高達84%,說明ZnS@C@MoS2具有優異的穩定性。
聲明:
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