一種用來清除等離子體腐蝕引入的殘留物的方 法。在一個實施方案中, 在部分光抗蝕劑已經被用來形成多晶硅 柵之后, 本發明提供了一種新穎的有利的等離子體灰化環境。具 體地說, 在此實施方案中, 本發明將CF4引入到等離子體灰化環境中。接著, 本實施方案將H2O汽引入到等離子體灰化環境中。在此實施方案中, CF4對H2O的體積比為0.1∶1-10∶1。接著, 本實施方案利用這一等離子體灰化環境來基本上清除多晶硅腐蝕引入的殘留物而不需要腐蝕性化學剝離。在這樣做的過程中, 柵氧化物的腐蝕被明顯地抑制, 致使足夠量的柵氧化物層保留在下方的半導體襯底上。此外, 在本發明中, 在清除等離子體腐蝕引入的殘留物之后, 柵氧化物層是清潔的, 且足夠的柵氧化物保留下來, 致使能夠精確而可靠地測量保留的柵氧化物層的厚度。
聲明:
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