本發明公開了一種制備一維ZnO納米棒晶薄膜 的電場輔助的方法,步驟依次為:將 Zn(NO3) 2·6H2O與NaOH 溶解于水中,攪拌均勻;置于30~90℃的水浴中;用三電極化 學沉積系統進行恒電位沉積,以涂覆ZnO溶膠作為種底的導電 玻璃為陽極,鉑片為對電極,飽和Ag/AgCl電極(vs Ag/AgClsat)為參比電極,在500 -1300mV的外加電壓下沉積;將襯底取出,清洗后,于烘箱 中干燥,獲得ZnO一維納米棒晶薄膜材料。本發明通過施加并 調節外電場的大小,有效控制了ZnO的生長形態,提高了生長 速度;本發明廣泛應用在發光二極管、光探測器、光敏二極管、 氣敏傳感器、太陽能電池等方面。
聲明:
“制備氧化鋅一維納米棒晶薄膜的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)