本發明公開了一種熱釋電陶瓷材料及其制備方法。所述的熱釋電陶瓷材料具有如下組成通式:(Pb1+δ)(Mg1/3Nb2/3)z(ZrxSn1-x-yTiy)1-zO3+w?at.%A,其中:0<δ≤0.05,0<w≤10,0.75≤x≤0.90,0.10≤y≤0.25,0.01≤z≤0.10;所述的A為Fe、Cr、Mn中的任意一種或二種以上的組合。所述的熱釋電陶瓷材料的制備包括:合成陶瓷粉體、制備陶瓷坯體、進行燒結、化學法鍍Ni電極、在硅油中進行極化等步驟。本發明的熱釋電陶瓷材料具有穩定而適中的熱釋電系數、較低的介電常數、較低的介電損耗、較大范圍內可調的電阻率,可望應用于非制冷紅外探測領域。
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