本申請提供一種M i cro?LED器件制備方法。該方法針對利用干法刻蝕制備Micro?LED晶粒結構引發的產生側壁損傷的問題進行改進。提出使用四甲基氫氧化銨化學腐蝕和側壁鈍化相結合的方式對其進行側壁修復,能沿縱向腐蝕完M i cro?LED側壁的非晶區,沿橫向M i cro?LED結構破壞性較弱,腐蝕后的樣品側壁晶格完整且側壁垂直;Micro?LED晶粒形成之后,通過激光共聚焦顯微鏡與光致發光光譜相結合的光學評價方式對其進行早期性能評估,在封裝之后對M i cro?LED器件的電學性能進行測試,將電學性能測試結果與早期發光性能評估相對照。本申請實能有效處理M i cro?LED側壁損傷層,豎直化M i cro?LED側壁,解決干法刻蝕后側壁傾斜導致的量子阱上下區域面積不一致的問題。
聲明:
“Micro-LED器件制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)